[博海拾贝1001]​普普通通的一天

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拾贝（b）存储器的开关耐久性。此外，​普普通已经报道了一系列2D材料中的各种RS行为，包括氧化石墨烯，过渡金属二硫化物（TMD），六方氮化硼和黑磷。

石墨烯可用作电极或电极与电介质之间的界面层，博海以阻止原子扩散并限制导电细丝的数量。拾贝（d）制造的2D基于GaSe的FET和在空气中暴露一周的器件的传输特性。除了TMD之外，​普普通2D层状III-VI半导体材料由于其较好的电学和光学性质而备受关注。

在此，博海作者采用机械剥离的二维层状GaSe纳米片制备了基于GaSe的三端子记忆晶体管。拾贝图四：GaSe忆阻器RS机制的原理图（a）Vds=0的初始状态。

【成果简介】近日，​普普通四川师范大学接文静副教授联合香港理工大学郝建华教授将忆阻器和场效应晶体管(FET)的概念与二维(2D)层状材料作为有源半导体层相结合，​普普通提出了一种多端子混合系统——忆阻管和场效应晶体管(FET)。

【研究背景】由于低功耗，博海高速度和优越的可扩展性，忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。拾贝张峰个人社交平台主页。

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